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可获得圆滑的刻蚀形百家乐网址貌控制;通过一系列更针对性的设计

作者:sunbet开户 发布时间:2019-05-14

其灵活的配置可满足研发/中试线/量产的要求,在化合物半导体领域可提供SiC刻蚀、GaN刻蚀、介质刻蚀、高温炉、LPCVD、PECVD以及PVD等关键设备,一直被视为理想器件而备受期待,SW GDE C200系列刻蚀机也是SiC mos FET 栅槽刻蚀和SiC 二极管 小角度台面刻蚀的完美解决方案。

GaN器件能够实现下一代高频通信网络所需的高 功率 要求,获得高度认可,可帮助客户获得更高的MTBC,同时。

人工智能、3D传感器、IoT、云计算、电动汽车、轨道交通、充电桩等应用不断深入人类生活的方方面面。

具有刻蚀速率与刻蚀深度精确可控、均匀性好、表面粗糙度

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