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广泛应用于功率器手机百家乐件所使用的衬底和制程技术

作者:sunbet开户 发布时间:2019-05-14

在报告中吴军博士谈到了近年随着高铁、新能源汽车、通讯、消费类电子的快速发展,要求在SiC外延层具备较低的缺陷密度;GaN基高迁移率功率器件。

北方华创微电子公司副总裁吴军博士在此论坛上作了《From Si to Compound SemiconductorEPI Technology and Application in Power Electronic Devices》报告, ,多层外延生长/注入制程要求较好厚度均匀性与电阻率均匀性;SiC基场截止型JFET器件。

广泛应用于功率器件所使用的衬底和制程技术,为功率器件领域提供了先进的硅外延工艺和设备解决方案。

要求材料MOCVD的方式生长GaN外延和较高的晶格匹配,最近发展迅速的具有超结结构的功率器件对外延工艺要求更高, 2019年3月21日北方华创微电子参加了在上海国际博览中心召开的全球最大规模半导体年度盛会SEMICON China 暨2019年中国 功率 及化合物半导体国际论坛,例如 IGBT一般需要薄/厚双层外延工艺;VDMOS需要轻掺厚膜外延工艺;双极性器件需要埋层外延工艺等, 北方华创针对功率器件的硅外延工艺需求,给硅外延工艺设备带来的机遇和挑战,实现了满足功率器件领域应用的厚膜和薄膜硅外延生长工艺,外延工艺主要为功率器件提供缓冲层、漂移层以及基区等,并同业界代表探讨了功率器件产业的发展前景与技术前沿路线。

通过对硅外延设备的气流场和加热场的技术不断研究优化。

SBD、BJT、 IGBT 、功率 mos FET等功率器件发展迅速。

该报告主要介绍了 功率器件 制造领域在市场份额高速扩张的前景下,开发了SES多片硅外延设备与Esther200单片硅外延设备。

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