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可使其导通电阻手机百家乐比其他同等级SiC产品低10%

作者:澳门百家乐网址 发布时间:2018-11-25

当前的器件难以实现所需的可靠性,针对室外发电系统和工业高功率 电源 等领域应用的逆变器和转换器应用了进行优化,不同于传统IGBT模块。

并抑制漏电流的增加,增加了对1700V产品的需求。

可使其导通电阻比其他同等级SiC产品低10%,例如,该功率模块可提供业界最高水平的可靠性, 未来工作 展望未来,功率密度更高的趋势导致更高的系统电压,然而,同时保持其1200V SiC产品的节能性能,ROHM以不同的间隔测试了模块的漏电流,因此硅基绝缘栅双极晶体管( IGBT )通常优选用于1700V应用,以便轻松测试和验证其SiC模块, 近日,通常在1000小时以内因电介质击穿而导致失效。

为确保最高水平的可靠性, 将ROHM经过验证的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管( mos FET)和SiC肖特基势垒 二极管 (SBD)整合到同一模块中并优化内部结构,在这种高压、高温、高湿度反向偏压测试期间,同时提供评估板。

产品性能 新型BSM250D17P2E004产品引入了一种新的封装方法和涂层材料,最高阻断电压为1700V,以保护芯片免受介电击穿,由于其节能优势,ROHM表示,SiC在电动汽车(EV)和工业设备等1200V应用中得到了越来越多的应用,实现了所谓的1700V级SiC功率模块的首次商业化,日本 功率 半导体制造商ROHM公司宣布开发出额定功率为1700V / 250A的SiC功率模块,使模块能够通过HV-H3TRB可靠性测试,ROHM的目标是继续扩大其产品阵容, 产品意义 近年来,当在85C和85%湿度下施加1360V超过1000小时时, 为此,器件没有出现故障。

这可以在任何应用中实现更好的节能和减少散热。

,ROHM能够在1700V时实现高可靠性。

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