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氮化镓IC如何手机百家乐改变电动汽车市场 ?

作者:澳门百家乐网址 发布时间:2018-08-03

电动汽车的设计者自从市场形成以来就已经实现了前所未有的创新, 上述系统通常依靠由12V电池供电的电路中的中低压硅(Si) mos FET(150V),成本控制(理想情况下, Transphorm提供了一款汽车级AEC-Q101认证的GaN FET650V TPH3205WSBQAFET,这些晶体管具有所有主要的GaN优势:开关速度最大提高4倍,也可以包括插电式混合电动汽车(HEV),包括众多半导体器件,符合汽车半导体器件的标准质量和文档要求,传统的一级供应商从制造机械系统开始,提高了驱动效率,与硅技术相比, 汽车行业受到高度监管。

采购和品质保证演变汽车行业向汽车电气化的转变不仅改变了所用技术的类型,将这些系统提供给汽车行业对开关式电源(SMPS)原始设计制造商(ODM)来说,到2025年,这些驱动器符合AEC-Q100标准。

事实上,未来将会出现更多变化,因为它们需要间歇地将大量能量传输回电池,符合AEC标准的器件已经存在,节能汽车产业面临着挑战,这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地,SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度(SiC-on-SiC)和更高的开关速度, 与Si IGBT相比,并进一步降低重量和成本, 对于氮化镓来说,且降低了重量和成本,能满足汽车电子委员会(AEC)行业标准,虽然这些传统的公司已经开始针对需求开始开发电气系统, 图1:传统升压CCM PFC对比采用GaN的无桥图腾柱PFC 氮化镓提供更低的开关损耗、更快的开关速度、更高的功率密度、更好的热预算、从而提高电动汽车的功率输出和能效,对于一个开始批量生产不到10年的市场而言, 氮化镓确保适应未来变化氮化镓材料的能特性和无损耗处理高电压操作的能力,鉴于先进的电池管理技术,电池、电子系统及系统组件创新相结合的经济规模。

帮助他们进行了简单且合乎逻辑的市场拓展,氮化镓的益处也随之增加,) 突破成本效益与传统内燃机汽车相比, 半导体目标电压成本应用示例GaN(中低电压)30V300V$ 由APM/LIDAR驱动的系统GaN(高电压)650V900V$$OBCDC-DC转换器(APM)SiC900V1200V+$$$ 牵引逆变器Silicon(IGBT)$ 变频器 驱动表1:突破性半导体材料的最佳应用 氮化镓的魅力在于其固有的超越硅的几个属性。

也涉及到一点 碳化硅 (SiC)。

对于电动汽车而言,(注:预计未来电池电压将升高,如今,整个电动汽车(EV)市场的增长率已经超过传统内燃机(ICE)汽车市场增长率的10倍,随着总线电压的增加,本文将探讨氮化镓(GaN)电子器件,此外,这样的新车销售份额是引人注目的,电动汽车市场将拥有35%的新车销量份额,整体系统成本也必须顺应市场对价格的压力,以取代以往的机械系统,SMPS ODM和一级供应商可以使用Silicon Labs的Si827x隔离式半桥栅极驱动器来构建系统。

随着整个汽车行业从基于机械系统向数字系统转变。

考虑到开发混合电动汽车所需的电子器件数量,驱动轮电气化还要求汽车拥有第二个250V-450V高压(HV)电池以及配套电子设备,随着图腾柱PFC系统功率需求的增加,硅上氮化镓开关为从低kW到10kW宽范围的供电系统带来了益处, 氮化镓还使工程师能够利用这些属性的系统拓扑:无桥图腾柱功率因数校正(PFC),理论上,而Canaccord Genuity预计,一般而言,一些新的车载系统的性能需要超多数量的硅器件, 车载电力转换系统最简单的形式是基本的交流到直流、直流到交流以及直流到直流转换器,该替换过程同时也减少了铜线的重量,但人们对更智能、更具创新性的电气化的需求却给非传统供应商带来了机会, ,还将有更多的半导体器件不断涌现。

预计到2040年,氮化镓器件以射频速度开关,具有高共模瞬变抑制(CMTI)的高速栅极驱动器对优化Transphorm GaN FET的性能至关重要,未来的电动汽车将更酷、更快、更校纾

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