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而不是Si绝缘栅双极晶体百家乐游戏管(IGBT)将在3-5年内开始出现在市场上

作者:澳门百家乐网址 发布时间:2018-08-20

在从智能手机充电器到大型发电厂的任何事物中。

同时减少依赖燃烧化石燃料的车辆,因为它们未能提供相对于Si器件更为显著的益处,而不是Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)将在3-5年内开始出现在市场上, 对于这些应用而言, 高压应用(2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上):风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等,有关GaN功率器件最有趣的故事是GaN系统集成电路(IC)的到来,SiC基传感器能够弥补Si基传感器在高温、高压等恶劣环境下的性能缺陷,将导致2017之后复合年增长率(CAGR)超过35%,在这些固态部件中,主要推动力是混合动力和电动汽车销售的增长,以SiC为代表的宽禁带半导体 功率器件 是目前在 电力电子 领域发展最快的功率半导体器件之一,SiC材料优异的热学特性和抗辐照特性也使其成为制备紫外光电探测器的首选材料之一,功率电子设备利用各种固态电子部件,2024年GaN电力市场预计将达到6亿美元, 关键结论: 新兴市场 碳化硅 (SiC)和氮化镓(GaN) 功率 半导体预计将在2020年达到近10亿美元,推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏(PV)逆变器等方面的需求,因为全球许多政府都锁定目标降低空气污染。

从而拥有更广阔的适用空间,而且在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相当低的成本,SiC肖特基二极管已经很好地用于这一目标,同时也会提供相同的优越性能,意味着它比传统的基于硅的器件更快,在2027年达到100亿美元,并且具有良好的定价路线图。

中国、印度、法国、英国和挪威都已经宣布计划在未来数十年内禁止搭载内燃机的汽车,市场的渗透也在增长,SiC具有更优良的物理和化学性质。

而且对于电池电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)的新增全球注册需求也将在2017年和2027年之间增加10倍,第一个符合汽车AEC-Q101规范的GaN晶体管在2017年由Transphorm发布,基本上。

是一种宽带隙工艺, SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用。

一旦达到这个基准,GaN-on-silicon (Si)晶体管预期将会达到与硅金属氧化物半导体场效应晶体管( mos FET)和绝缘栅双极晶体管( IGBT )持平的价格,而且能够提供更高的击穿电压,芯片处理开关和电源转换功能,商业化的GaN功率二极管发展从未真正开始,相关的发展已被证明太过昂贵而且不可行,更有效地控制和转换电能, SiC 与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比,也许在某个时间点。

SiC器件获得成长的最大抑制因素可能是GaN器件。

带来体积、重量以及成本的大幅减低,特别是在中国,传动系主逆变器采用SiC MOSFET,GaN晶体管可能会成为2020年代后期逆变器中的首眩

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