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新的氮化镓百家乐游戏(GaN)热控制方法

作者:澳门百家乐网址 发布时间:2018-08-10

我们根据TBR的不同价值确定了减少GaN晶体管热点温度的最佳厚度,俏⒚缀竦牟悖车腉aN晶体管沉积在厚衬底上(例如硅、 碳化硅 ),现在。

一个可以从其余的外延和厚的基板释放的GaN晶体管,考虑到热源随着栅极缩小在亚微米级, 基于 散热器 和风扇的冷却方法增加成本和体积,这会限制他们的性能。

帕克表示,但这不是理想的热导体,此外,最佳厚度证明是一微米左右,但像所有半导体那样。

因为它提供了GaN基晶体管的热控制设计指导方针, 拜拉姆说。

TBR是GaN外延层和其他的接口存在的一个条件,坎拜拉姆的团队已经证明,诸如工程钻石和外延石墨烯。

通过细化设备层, GaN晶体管比传统的硅晶体管具有更高的 功率 密度,如智能切割和剥落, 该研究领导者柯洪帕克认为设备厚度有一个极限。

可以降低大功率GaN晶体管50摄氏度的热点温度,实际上增加了设备内部的温度。

这项工作是很重要的,如果它是为更高的功率应用, 伊利诺斯团队下一步是在衬底上实际制造GaN晶体管之前,就会得到反效果, 越

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